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        STM8S單片機的內部eeprom編程

        作者:羊村長   來源:羊村長   點擊數:  更新時間:2014年08月03日   【字體:

            STM8S單片機芯片內部也集成有EEPROM,容量從640字節到2K字節。最為特色的是,在STM8單片機中,對EEPROM的訪問就象常規的RAM一樣,非常方便。EEPROM的地址空間與內存是統一編址的,地址從004000H開始,大小根據不同的芯片型號而定。

        當然如果有外部EEPROM,自然是不會使用到內部的EEPROM的。但小東西也有大用途,例如做無線應用時,減少成本的情況下,還能保存一些特定設置,如:休眠時間,工作頻率,輸出功率,密碼等。
        EEPROM3種編程模式:
         字節編程 (沒有擦除操作)
        可對 EEPROM的數據區域進行逐字地編程。應用程序直接向目標地址寫入數據。
         字編程
         EEPROM允許字編程(一次編程4個字節),從而縮短EEPROM的編程時間。
         塊編程 (沒有擦除操作)
           EEPROM塊編程操作允許一次對整個塊(64個字節)進行編程,整個塊在編程前被自動擦除。但塊編程操作一定要在RAM中運行。
        下面以字節編程進行講解:
        實驗平臺:stm8s103k3 + stlink
        在stm8s_flash.h中:
        #if defined (STM8S103) || defined(STM8S903)
         #define FLASH_PROG_END_PHYSICAL_ADDRESS   ((uint32_t)0x9FFF)  
         #define FLASH_PROG_BLOCKS_NUMBER          ((uint16_t)128)     
         #define FLASH_DATA_START_PHYSICAL_ADDRESS ((uint32_t)0x004000)
         #define FLASH_DATA_END_PHYSICAL_ADDRESS   ((uint32_t)0x00427F)
         #define FLASH_DATA_BLOCKS_NUMBER          ((uint16_t)10)      
         #define FLASH_BLOCK_SIZE                  ((uint8_t)64)       
        #endif
        從這里可以看出,eeprom的地址為0x004000~0x00427F,這段地址分為10個Block,每個Block有64個Byte,總容量為640Byte.
        關于2個秘鑰在stm8s_flash.h中已經定義:
        #define FLASH_RASS_KEY1 ((uint8_t)0x56)
        #define FLASH_RASS_KEY2 ((uint8_t)0xAE)
              中文數據手冊上KEY1和KEY2的定義與代碼一致,但是英文數據手冊上KEY1為0x56和KEY1為)0XAE.暫且不討論誰搞反了,以代碼為準吧!
        首先要初始化EEPROM:
        我們在eeprom.h中定義:
        typedef enum{
          #if defined(STM8S103) || defined(STM8S003) ||  defined(STM8S903)
          Block_0=0x4000,
          Block_1=0x4040,
          Block_2=0x4080,
          Block_3=0x40C0,
          Block_4=0x4100,
          Block_5=0x4140,
          Block_6=0x4180,
          Block_7=0x41C0,
          Block_8=0x4200,
          Block_9=0x4240
          #endif
        }BlockStartAddress_TypeDef; //分塊存數,方便讀寫操作!
        在eeprom.c中初始化:
        初始化操作步驟:
        1. 設定編程時間。FIX=1為標準編程時間(一般一次編程時間為6ms)。如果EEPROM被擦除過并且FIX=0,那么變成時間為標準編程時間的一半(一般為3ms)。
        2. 向FLASH_DUKR寄存器連續寫入兩個MASS密鑰值來解除DATA區域的寫保護。
        第一個硬件密鑰:0b0101 0110 (0x56)
        第二個硬件密鑰:0b1010 1110 (0xAE)
        如果第二個秘鑰匹配正確,FLASH_IAPSR的DUL位自動置位。
        3. 等待DATA EEPROM區解鎖。
        void EEPROM_Init()
        {
          FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_PROGRAMTIME_TPROG);
          // 注意順序: FLASH_DUKR = 0xAE為Key2 ,FLASH_DUKR = 0x56;為Key1
           FLASH_Unlock( FLASH_MEMTYPE_DATA);
           //如果第二個秘鑰正確,FLASH_IAPSR_DUL=1;
           //直到FLASH_IAPSR_DUL由硬件置位,才跳出while循環
          while((FLASH->IAPSR & FLASH_IAPSR_DUL) == 0);//等待DATA EEPROM區解鎖
        }
         
        FLASH_Unlock函數原型在stm8s_flash.c中:
        void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType)
        {
            assert_param(IS_MEMORY_TYPE_OK(FLASH_MemType));
            if (FLASH_MemType == FLASH_MEMTYPE_PROG)
            {
                FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;
                FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;
            }
            else
            {
                FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY2;
                FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY1;
            }
        }
        在main.c中,你就可以進行擦除,讀,寫操作了!
          FLASH_EraseByte(uint32_t Address);  // 擦除某地址的一個字節
          FLASH_ProgramByte(0x4001,0x08); //寫入一個字節
          while((FLASH_IAPSR & 0x04) != 0x00);   //直到EOP=1,EEPROM編程結束
          Rdat= FLASH_ReadByte(0x4000);   // 讀出某地址的一個字節
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