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        ARM Cortex-M0+內核的特性

        作者:huqin   來源:本站原創   點擊數:  更新時間:2014年08月16日   【字體:

         學習M0+        

        從三個方面學習M0+。學習M0+芯片手冊,學習codewarrior10.4,同時嘗試著上MQX實時系統。
                先學習這款M0+內核。
                內核和架構:
                ARM Cortex-M0+內核,最高可達 48MHz 且支持存儲器零等待執行;
                單周期 I/O 訪問:比標準 I/O 最多快 50%;
                提高對外部事件的反應時間,并允許 拆位操作和軟件協議仿真;
                和 8 位/16 位  MCU 相比更優秀的代碼密度:能夠減少 Flash 尺寸,系統成本和功耗;
                和 ARM Cortex-M0 內核以及 ARM Cortex-M3/M4 子集完全兼容;
                線性 4GB 尋址空間:避免了對分頁的需求,降低了軟件復雜性;
                ARM 第三方生態系統支持:軟件和工具版主最大限度減少開發時間和成本;
                        最多 4 通道 DMA 用于極少 CPU 干預的外設和存儲器操作;
        超低功耗:
                極高動態效率:32 位M0+內核,90納米薄膜存儲(TFS)工藝技術,每 CoreMark 能夠降低 50%功耗;
                UART、SPI、II2C、ADC、DAC、TPM、LPT 和 DMA 支持低功率模式操作,無須喚醒內核,Kinetis L系列MCU提供多個低功耗智能外設,即使在MCU處于深度休眠模式時也能維護正常功能,,因此可實現少消耗多工作。
                DMA控制器、計數器、定時器、通信接口、ADC、比較器都能夠在不占用CPU 的情況下做出自己的決策。傳統的MCU必須激活主時鐘和處理器內核才能執行任務,即使是執行瑣碎的任務,如發送或接收數據、捕捉或生成波形或模擬信號采樣時也是如此。
                Kinetis L系列外設不需占用內核或主要系統就能執行這些功能,從而大大降低能耗并延長電池壽命。
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